[19p-H103-1~21] 6.2 カーボン系薄膜

△ [19p-H103-15] 縦型構造トレンチチャネルC-HダイヤモンドMOSFET(Ⅱ)

〇(B)牟田 翼¹、斎藤 俊輝¹、工藤 拓也¹、北林 祐哉¹、松村 大輔¹、牛 俊雄¹、稲葉 優文¹、平岩 篤¹、川原田 洋¹ (1.早大理工)

キーワード：ダイヤモンド、半導体

本研究では縦方向に電流を流す水素終端ダイヤモンド表面の2DHGを利用したMOSFETを作製した。ダイヤモンド表面にはC-H結合が施されており、これにより2DHGが誘起される。この2DHGは形状によらず、水素終端面の直下に発生する。トレンチ構造の側面にALD法を用いてAl₂O₃膜をパッシベーション膜及びゲート絶縁膜を形成し、そこで発生した2DHGにより縦型チャネルFETが動作することを確認したが、縦に電流が貫通する構造ではなかった。