[19p-H103-1~21] 6.2 Carbon-based thin films

△ [19p-H103-16] Common-gate IV characteristics of Solution-gate FET

〇(B)Keisuke Igarashi¹, Takuro naramura¹, Shaili M.S¹, Masahumi Inaba¹, yukihiro Shintani^1,2, Atsushi Hiraiwa¹, Hiroshi Kawarada¹ (1.Waseda Univ., 2.Yokogawa Electric. Corp)

Keywords:diamond

我々はこれまでに様々な表面終端を施した単結晶および多結晶ダイヤモンドを用いて、電解質溶液ゲートFET（SGFET）の電気特性を評価してきた。水素終端SGFETにおいては、表面におけるC-H結合が電気双極子を作製し、ダイヤモンドと液体との界面に負イオンを引き寄せ、電気的中性を得るためにホール密度10¹³cm^-2のp型伝導層を形成する。