NVセンターを用いたダイヤモンドデバイス内部電界の検出

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

2016年3月19日(土) 13:15 〜 19:00 H103 (本館)

川原田洋(早大)、寺地徳之(物材機構)、河野省三(早大)、徳田規夫(金沢大)

14:15 〜 14:30

〇(M2)成木航^1,3、岩崎孝之^1,3、田原康佐^1,3、加藤宙光^2,3、牧野俊晴^2,3、小倉政彦^2,3、竹内大輔^2,3、山崎聡^3,2、波多野睦子^1,3 (1.東工大、2.産総研、3.CREST)

キーワード：NVセンター、ダイヤモンド、電界