[19p-H103-1~21] 6.2 カーボン系薄膜

[19p-H103-7] ダイヤモンドnin接合におけるNVセンタの電荷状態の制御

〇清水 麻希^1,2、牧野 俊晴^2,3、Amici Renato Goes⁴、岩崎 孝之^2,4、長谷川 淳一⁴、田原 康佐⁴、成木 航⁴、加藤 宙光³、竹内 大輔³、山崎 聡^2,3、波多野 睦子^2,4 (1.東理大理、2.CREST、3.産総研、4.東工大)

キーワード：ダイヤモンド、半導体、NVセンタ

ダイヤモンド中の負に帯電した窒素-空孔センター(NV^-センター)はその室温における優れたスピン特性，光学特性により，高感度な磁気センサや量子情報素子への応用が期待されている．しかしNVセンタにはNV^-の他に電荷的に中性なNV⁰の状態が存在し，これらの電荷状態間を遷移してしまうことが知られているため，電荷状態の制御，特にNV^-への安定化が応用に向けての大きな課題となっている．本研究ではi層(intrinsic)のダイヤモンドの上に高ドープのn型のダイヤモンドを配置してn-i-n接合を作製することにより，不純物の少ないi層中にあるNVセンタ電荷状態の制御を試みた．