[19p-H103-1~21] 6.2 Carbon-based thin films

[19p-H103-7] Charge State Modulation of Nitrogen Vacancy Center in Diamond n-i-n Junction

〇Maki Shimizu^1,2, Toshiharu Makino^2,3, Renato Goes Amici⁴, Takayuki Iwasaki^2,4, Junichi Hasegawa⁴, Kosuke Tahara⁴, Wataru Naruki⁴, Hiromitsu Kato³, Daisuke Takeuchi³, Satoshi Yamasaki^2,3, Mutsuko Hatano^2,4 (1.TUS, 2.CREST, 3.AIST, 4.Tokyo Tech)

Keywords:diamond,semiconductor,NV center

ダイヤモンド中の負に帯電した窒素-空孔センター(NV^-センター)はその室温における優れたスピン特性，光学特性により，高感度な磁気センサや量子情報素子への応用が期待されている．しかしNVセンタにはNV^-の他に電荷的に中性なNV⁰の状態が存在し，これらの電荷状態間を遷移してしまうことが知られているため，電荷状態の制御，特にNV^-への安定化が応用に向けての大きな課題となっている．本研究ではi層(intrinsic)のダイヤモンドの上に高ドープのn型のダイヤモンドを配置してn-i-n接合を作製することにより，不純物の少ないi層中にあるNVセンタ電荷状態の制御を試みた．