[19p-H112-1~15] 15.1 バルク結晶成長

[19p-H112-13] マイクロ引き下げ法で作製したCe:Y₃Al₅O₁₂単結晶における面内Ce偏析の改善

〇横田 有為¹、Zeng Zhong²、大橋 雄二³、黒澤 俊介¹、鎌田 圭^1,4、川添 良幸¹、吉川 彰^1,3,4 (1.東北大NICHe、2.重慶大、3.東北大金研、4.C&A)

キーワード：マイクロ引き下げ法、Ce:YAG

マイクロ引き下げ(m-PD)法は、引き上げ法やブリッジマン法に比べて数倍から数十倍もの高速の結晶育成が可能であることから、これまで様々な機能性単結晶材料の材料探索に用いられてきた。本研究では、m-PD法で用いる坩堝の穴(キャピラリー)の数に着目して面内方向の添加元素の偏析改善を試みた。ダイにおける穴の数が異なる2種類のIr坩堝を用いてCe2%および5%:YAG単結晶の結晶育成を行った。1つ穴の坩堝で作製した結晶は中心部分のみ低いCe濃度であるのに対して、5つ穴の坩堝で作製した結晶は、中心部分の濃度が高くなり、面内のCe濃度偏析が改善する傾向が見られた。