[19p-H121-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-H121-11] 水素雰囲気熱処理InGaN/GaN多重量子井戸層の発光特性評価及び水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によるナノ構造の作製

〇(B)石嶋 駿¹、小川 航平¹、水谷 友哉¹、蜂屋 諒¹、菊池 昭彦^1,2 (1.上智大学、2.上智大ナノテク研究センター)

キーワード：窒化物半導体、ナノ構造、エッチング