[19p-H121-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [19p-H121-13] Theoretical investigation of nitride nanowire based edge-emitting laser

〇Yuki Kurisaki¹, Satoshi Kamiyama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Motoaki Iwaya¹, Isamu Akasaki^1,2 (1.Meijo Univ., 2.Akasaki Research Center, Nagoya Univ.)

Keywords:nanowire,semiconductor laser

現代社会は急速に情報化が進んでいる。それに伴い、光ディスクや光通信の技術の重要性が増している。そこで我々は高効率・高出力の半導体レーザの実現に対して、Ⅲ族窒化物ナノワイヤに注目した。周期利得を形成するように配置されたGaNナノワイヤ上Core-shell型GaN/GaInN MQWを活性層とし、非極性m面活性層からの発光を共振器内で増幅させる新構想の端面発光レーザについて検討を行った。光学利得係数の算出と光閉じ込め係数の理論計算を行った結果、従来構造の端面発光レーザに比べて優れた特性を示したので報告する。