[19p-H121-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-H121-2] AlGaN母材自立化に伴う単一GaN界面ゆらぎ量子ドット光学特性の変化

〇有田 宗貴^1,2、加古 敏^1,2、荒川 泰彦^1,2 (1.東大ナノ量子機構、2.東大生産研)

キーワード：窒化物半導体、量子ドット、二軸性歪

単一窒化物半導体量子ドット・フォトニックナノ共振器強結合系の設計指針を得る目的で、AlGaN母材の自立化に伴う単一GaN界面ゆらぎ量子ドット光学特性の変化を調べた。観測された発光ピークのブルーシフトは、歪・内部電界の変化に加えドット形状異方性を反映した因子によって決まっていると考えられる。