[19p-H121-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-H121-6] InGaNナノコラムにおける成長機構と臨界コラム径

〇(PC)大音 隆男¹、水野 祐太郎¹、柳原 藍¹、宮川 倫¹、加納 達也¹、吉田 純¹、榊原 直樹¹、岸野 克巳^1,2 (1.上智大理工、2.上智大ナノテク)

キーワード：ナノコラム、ナノワイヤ、InGaN

様々なコラム径のGaNナノコラム上に作製したInGaNナノコラムの成長機構と臨界コラム径を議論した．臨界コラム径D_cより細いGaNナノコラム上には同一のコラム径でInGaNナノコラムが成長するのに対し，太いGaNナノコラム上ではInGaNのコラム径はD_cに収束し，自発的にcore-shell構造を形成した．また，ミスフィット転位は観測されなかった．ナノコラムの歪エネルギーを最小化するために，D_c以下のInGaNナノコラムしか成長しなかったと考えられる．