[19p-P1-1~74] 10 スピントロニクス・マグネティクス（ポスター）

[19p-P1-22] 漏洩磁場を利用したスピン量子十字デバイスの構造・磁気特性

〇海住 英生¹、森 澄人¹、三澤 貴浩¹、小峰 啓史²、中村 晃輔³、藤岡 正弥¹、西井 準治¹ (1.北大電子研、2.茨大工、3.北大理)

キーワード：スピントロニクス、ナノ構造、磁性薄膜

我々は新たなスピンフィルター素子の創製を目指し、磁性薄膜エッジからの漏洩磁場を利用したスピン量子十字デバイスを提案している。本研究では本デバイスの電極に用いる低融点ガラス間のNi₇₈Fe₂₂薄膜の構造・磁気特性を調べるとともに、スピン量子十字デバイスのエッジ間に生じる漏洩磁場を計算することを目的とした。