[19p-P1-1~74] 10 Spintronics and Magnetics（Poster）

[19p-P1-37] Effect of Si surface on spin accumulation and transport signals in CoFe/MgO/n⁺-Si junctions

〇Mizue Ishikawa¹, Hideyuki Sugiyama¹, Tomoaki Inokuchi¹, Kohei Hamaya², Nobuki Tezuka³, Yoshiaki Saito¹ (1.Toshiba R&D Center., 2.Osaka Univ., 3.Tohoku Univ.)

Keywords:Spin signal,Hanle signal

再構成可能な論理回路や不揮発メモリへの応用が期待されるスピンMOSFETを実現するため、これまで我々はSi中でのスピン蓄積やスピン伝導を評価してきた。スピンMOSFETの実現には更なるMR比の向上が必要であり、そのためにはスピン信号強度を増大させる必要がある。今回我々はCoFe/MgO/n⁺-Si on insulator (SOI) 接合において、Si基板表面の違いがスピン信号強度に大きく影響することがわかったため、その内容を報告する。