[19p-P1-1~74] 10 スピントロニクス・マグネティクス（ポスター）

[19p-P1-37] CoFe/MgO/n⁺-SOIを用いたスピン信号のSi基板表面処理効果

〇石川 瑞恵¹、杉山 英行¹、井口 智明¹、浜屋 宏平²、手束 展規³、斉藤 好昭¹ (1.(株)東芝研開セ、2.阪大院基礎工、3.東北大院工)

キーワード：スピン信号、ハンル信号

再構成可能な論理回路や不揮発メモリへの応用が期待されるスピンMOSFETを実現するため、これまで我々はSi中でのスピン蓄積やスピン伝導を評価してきた。スピンMOSFETの実現には更なるMR比の向上が必要であり、そのためにはスピン信号強度を増大させる必要がある。今回我々はCoFe/MgO/n⁺-Si on insulator (SOI) 接合において、Si基板表面の違いがスピン信号強度に大きく影響することがわかったため、その内容を報告する。