[19p-P1-1~74] 10 スピントロニクス・マグネティクス（ポスター）

[19p-P1-70] Ｘ線磁気円二色性を用いた希薄磁性半導体ＧａＧｄＡｓの原子磁気モーメント検出

〇宮川 勇人¹、大西 吉行¹、小柴 俊¹、高橋 尚志²、水牧 仁一朗³、河村 直己³、鈴木 基寛³ (1.香川大工、2.香川大教、3.JASRI/SPring-8)

キーワード：希薄磁性半導体、超格子、磁気円二色性

希土類元素であるGdを添加した希薄磁性半導体の室温強磁性の発現機構解明を目的とし、GaGdAsの単層および超格子をMBE成膜し，構造評価と放射光を用いた磁気円二色性（MCD）測定により元素選択的な磁性評価を行った。断面TEM像ではGaGdAs層内にGd濃度の高い粒が見られた。MCD強度から見積もられたGd原子当たりの磁気モーメントは，Gd濃度が1.3%と低い試料において約6.1muBとなった。