[19p-P12-1~27] 21.1 Joint Session K

△ [19p-P12-19] High performance TFT with low power consumption ReRAM by high-K gate insulation film

〇(D)Kyohei Nabesaka¹, Yoshimitsu Yamauchi¹, Keisuke Kado¹, Mami Fujii¹, Yasuaki Ishikawa¹, Yukiharu Uraoka¹ (1.NAIST Univ.)

Keywords:Flexible device,ReRAM

近年，急速に技術開発が進展しているフレキシブルデバイスは，曲面や袋などに貼れ耐衝撃性に優れる等のメリットがある． TFT(薄膜トランジスタ)回路部などの研究が多く進められているが，さらにメモリ素子を組み込む事で消費電力が低下しウェアラブルデバイスとしての期待が高まっている． High-Kゲート絶縁膜をゲート−ドレイン間の抵抗変化膜として機能させることで，TFTの高性能化に低消費ReRAMを組み込むことができるのでその為の評価を行う．