[19p-P12-1~27] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [19p-P12-6] MOCVD法によるZnMgO:N/ZnOシングルヘテロ接合を採用したUV-LED

〇柳瀬 将吾¹、錦織 大和¹、藤田 恭久¹ (1.島根大院総理)

キーワード：ZnO、MOCVD、LED

酸化亜鉛は安価で高い発光効率を示すことから，LEDへの応用が期待されている．近年MBEやPLD法などによりZnOを母体とした LED(ZnO-LED)の作製が行われているが量産性に適したMOCVD法による報告例はほとんどない．本研究では，ZnO-LEDの各層の条件を最適化し，窒素濃度(1.7×10¹⁸cm^-3)で成長したZn_0.93Mg_0.07O:N/ZnOシングルヘテロ構造を用いて世界で初めてMOCVD法によりZnOのバンド端のEL発光を確認した．今回はZnMgO:N層及びZnO層の詳細について報告する。