[19p-P2-1~5] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[19p-P2-5] スーパー接合構造を持つSBCDの逆回復特性シミュレーション

〇(M1)對馬 広隆¹、工藤 嗣友²、菅原 文彦¹ (1.東北学院大工、2.神奈川工科大)

キーワード：自己バイアスチャネルダイオード、スーパー接合構造、逆回復特性

DMOSFET構造を用いて，チャネルダイオードを自己バイアスする自己バイアスチャネルダイオード（SBCD）が提案されている。このダイオードは、低損失および熱的に安定である。しかし、オン電圧と降伏電圧との間のトレードオフの関係があり、従って、この問題は解決される必要がある。現在までに、デバイスシミュレーション Atlasを用いて、その絶縁破壊電圧が大きくオン電圧を増大させることなく向上させることができることが確認されました。本稿では、スーパージャンクションを持つSBCDの逆回復特性のシミュレーション結果を報告する。