[19p-P4-1~17] 13.5 デバイス／集積化技術

△ [19p-P4-13] Si単電子トランジスタにおけるExcited Stateへの寄生MOSFETの影響

〇内田 貴史¹、佐藤 光¹、福地 厚¹、有田 正志¹、藤原 聡²、高橋 庸夫¹ (1.北大院情報、2.NTT物性基礎研)

キーワード：単電子、シリコン