[19p-P4-1~17] 13.5 デバイス／集積化技術

△ [19p-P4-8] 極薄膜SOIを用いた量子ドットデバイスの作製と評価

〇西野 孝夫^1,2、平岡 宗一郎^1,2、井原 敏^1,2、小寺 哲夫^1,2、小田 俊理^1,2 (1.東工大電子物理、2.東工大量子ナノ研セ)

キーワード：量子ドット、極薄膜、シリコン