[19p-P6-1~8] 8.3 Deposition of thin film and surface treatment

[19p-P6-7] Fabrication of a-TiN_X thin films by atomic layer deposition at cryogenic temperature (Ⅱ)

〇ByeongHak Yoo¹, Keita Seki¹, Tetsuya Sato¹ (1.Univ. of Yamanashi)

Keywords:Titanium nitride,Barrier Metal,Atomic Layer Deposition

集積回路の配線材料として用いられるCuはSiに容易に拡散するため、CuとSiの界面に拡散防止膜であるTiNの堆積が必要である。TiNの堆積方法として原子層堆積（ALD）法が主流となっているが、堆積速度の増大、プロセス温度の低温化、成膜装置内汚染の低減などの課題がある。我々はこれらの問題を解決するため、極低温ALD法の開発に取り組んでいる。今回、TiCl₄にXeをキャリアガスとしTiCl₄-Xe混合凝縮層を低温で形成し物性を評価したので報告する。