[19p-P6-1~8] 8.3 プラズマ成膜・表面処理

[19p-P6-7] プラズマ支援原子層堆積法によるa-TiN_X薄膜の極低温合成（Ⅱ）

〇柳 炳學¹、関 渓太¹、佐藤 哲也¹ (1.山梨大)

キーワード：窒化チタン、バリアメタル、原子層堆積法

集積回路の配線材料として用いられるCuはSiに容易に拡散するため、CuとSiの界面に拡散防止膜であるTiNの堆積が必要である。TiNの堆積方法として原子層堆積（ALD）法が主流となっているが、堆積速度の増大、プロセス温度の低温化、成膜装置内汚染の低減などの課題がある。我々はこれらの問題を解決するため、極低温ALD法の開発に取り組んでいる。今回、TiCl₄にXeをキャリアガスとしTiCl₄-Xe混合凝縮層を低温で形成し物性を評価したので報告する。