[19p-S223-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[19p-S223-1] ランダム行列フォノンモデルに基づくNEGFシミュレーション

美里劫 夏南¹、〇森 伸也¹ (1.阪大工)

キーワード：デバイスシミュレーション、ナノワイヤ、並列計算

ランダム行列フォノンモデルを用いることにより，フォノン散乱を考慮した非平衡グリーン関数法バイスシミュレータにおいて，エネルギー方向に分散させた並列化を実現した．