[19p-S223-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[19p-S223-4] 誘電率ミスマッチによる高ドープSi薄膜中の不純物のイオン化エネルギー上昇の解析

〇田中 貴久¹、高橋 綱己¹、内田 建¹ (1.慶應大理工　電子工)

キーワード：イオン化エネルギー、薄膜