[19p-S223-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [19p-S223-6] Ar/H₂熱処理によるSi(100)表面の原子レベル平坦化に関する検討

〇(D)工藤 聡也¹、大見 俊一郎¹ (1.東工大)

キーワード：表面平坦化プロセス、シリコン、熱処理

前回、我々はSi(100)基板をAr/4%H₂雰囲気中で熱処理することでSi表面の原子レベル平坦化を行い、その熱処理雰囲気依存性とMISダイオードの電気特性との相関について報告した。今回、Si(100)基板の熱処理による表面原子レベル平坦化について、熱処理条件に関する検討を行ったので報告する。