[19p-S223-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[19p-S223-8] SiO₂/Si界面層付近での水素分子の凝集現象の解析

〇加藤 弘一¹、福谷 克之¹ (1.東大生産研)

キーワード：水素分子、シリコン酸化膜界面、シリコン

酸化膜とシリコン界面において水素原子が凝集して素子を劣化させることが知られているが、水素分子も界面に凝集するらしきことが知られている。今回、第一原理計算により水素分子が界面においてエネルギー的に安定で集まり易いことが分かった。より深い1s準位を持つ水素分子の電子は周辺の原子と結合軌道を作って負に帯電し、界面で正に帯電したシリコン原子近傍で安定となったと考えられる。