[19p-W241-1~1] 8.9 プラズマエレクトロニクス分科内招待講演

[19p-W241-1] 【プラズマエレクトロニクス分科内招待講演】 SiCパワーデバイス研究開発の現状と将来展望

〇大森 達夫¹ (1.三菱電機（株）開発本部)

キーワード：SiC、パワー半導体、プラズマ　エッチング

プラズマエッチングの研究を始めて30年近くになり、徐々にプラズマからデバイスへ研究開発の対象が拡大し、最近は次世代のパワーデバイスであるSiC（Silicon Carbide）関係の開発が中心になっている。パワーデバイスは10数年程前までは限られた研究者、技術者が中心の課題でしたが、SiCなどのワイドバンドギャップ半導体材料を用いたパワーデバイスの実現が可能になり、注目を集めている分野です。本講演では、SiCパワーデバイスの研究開発の現状・課題とプラズマエレクトロニクスへの期待を述べる。