[19p-W241-2~12] 10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス

[19p-W241-2] Ga1-xMn_xAsの巨大熱電能の起源の解明

〇荒川 和哉¹、武富 優綺¹、加来 滋¹、吉野 淳二¹ (1.東工大理工物性物理)

キーワード：希薄磁性半導体、熱電能、フォノンドラッグ

希薄磁性半導体Ga_1-xMn_xAsが10²⁰/cm³ orderの高いキャリア濃度を持ちながら、10-20Kの低温において大きな熱電能ピークを示す特異性に着目した。熱電能は物質の電子状態に大きく依存するため、巨大な熱電能の起源を解明することでGaMnAsの電子状態解明の一助になると考えられる。実験では、Mn濃度とキャリア濃度を系統的に変化させたGa_1-xMn_xAsの試料を作成し、8-100Kにおける熱電能の測定と、フォノンドラッグと通常の拡散モデルに基づく数値計算との比較を行った。