[19p-W541-1~14] Efficiency improvement for thin film compound semiconductor solar cells in the present and future

△ [19p-W541-11] Control of inter-sublevel absorption at room temperature by capping layer thickness toward high-efficiency quantum dot solar cells

〇Hirofumi Yoshikawa^1,2,3, Katsuyuki Watanabe^1,2, Teruhisa Kotani^1,2,3, Satoshi Iwamoto^1,2, Makoto Izumi³, Yasuhiko Arakawa^1,2 (1.NanoQuine, Univ. of Tokyo, 2.IIS, Univ. of Tokyo, 3.SHARP Corp.)

Keywords:quantum dot,solar cell,intermediate band

キャップ層厚みを制御することによりサブレベル間吸収の高エネルギーシフトを図り、太陽光スペクトルとの整合性向上の指針を得たので報告する。InAs/GaAs積層量子ドット構造において、キャップ層厚みの低減に伴い吸収ピークは高エネルギーシフトし、数値計算におけるドット高さ低減と同様の傾向を示した。本結果は、中間バンド型量子ドット太陽電池の高効率化に向けた構造設計において、重要な指針になることが期待される。