[19p-W541-1~14] 化合物薄膜太陽電池の高効率化技術の現在と未来

△ [19p-W541-11] 量子ドット太陽電池の高効率化に向けたキャップ層厚みによる室温サブレベル間吸収制御

〇吉川 弘文^1,2,3、渡邉 克之^1,2、小谷 晃央^1,2,3、岩本 敏^1,2、和泉 真³、荒川 泰彦^1,2 (1.東大ナノ量子機構、2.東大生研、3.シャープ(株))

キーワード：量子ドット、太陽電池、中間バンド

キャップ層厚みを制御することによりサブレベル間吸収の高エネルギーシフトを図り、太陽光スペクトルとの整合性向上の指針を得たので報告する。InAs/GaAs積層量子ドット構造において、キャップ層厚みの低減に伴い吸収ピークは高エネルギーシフトし、数値計算におけるドット高さ低減と同様の傾向を示した。本結果は、中間バンド型量子ドット太陽電池の高効率化に向けた構造設計において、重要な指針になることが期待される。