[19p-W541-1~14] 化合物薄膜太陽電池の高効率化技術の現在と未来

△ [19p-W541-6] Zn_1-xMg_xOバッファー層によるCu(In,Ga)S₂薄膜太陽電池の変換効率改善

〇廣井 誉^1,2,3、岩田 恭彰^1,2、杉本 広紀^1,2、山田 明³ (1.ソーラーフロンティア、2.昭和シェル石油、3.東工大院理工)

キーワード：薄膜太陽電池、カルコゲナイド太陽電池、Se-free Cu(In,Ga)S2

SeフリーCu(In,Ga)S₂は、カルコゲナイド系薄膜太陽電池の中でもH₂Seガスを用いずに作製出来る為、将来的に低コスト化が見込まれる太陽電池材料として有望である。本件は、更なる低コスト化及び安全性向上の観点から、KCN及びCdを使用せずに作製したSeフリーCu(In,Ga)S₂薄膜太陽電池に関する発表であり、今回、Zn_1-xMg_xO を用いたCdフリーバッファー層に焦点を当て、特にZn_1-xMg_xOバッファー層のMg量における電池パラメーターへの依存性が明らかとなった為報告する。