[19p-W834-1~17] 9.2 Nanowires and Nanoparticles

[19p-W834-2] Material transfer of GaAs nanowires by after growth treatment

〇Kohei Nishioka¹, Fumitaro Ishikawa¹ (1.Ehime Univ.)

Keywords:semiconductor nanowire,GaAs

Si基板上に成長したGaAsナノワイヤの材料変換を行う。面発光レーザーに用いられる技術に、成長後に酸化させることで絶縁層を作るものがある。成長後の材料変換は複雑な構造の素子の作成を可能にする。ナノワイヤにおいても成長後の材料変換を試みる。GaAsナノワイヤをInGaAsナノワイヤに置換する。