[19p-W834-1~17] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

[19p-W834-2] GaAsナノワイヤの成長後物質変換

〇西岡 康平¹、石川 史太郎¹ (1.愛媛大工)

キーワード：半導体ナノワイヤー、GaAs

Si基板上に成長したGaAsナノワイヤの材料変換を行う。面発光レーザーに用いられる技術に、成長後に酸化させることで絶縁層を作るものがある。成長後の材料変換は複雑な構造の素子の作成を可能にする。ナノワイヤにおいても成長後の材料変換を試みる。GaAsナノワイヤをInGaAsナノワイヤに置換する。