2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

9 応用物性 » 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

[19p-W834-1~17] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

2016年3月19日(土) 13:30 〜 18:00 W834 (西8号館)

河口 研一(富士通研)、原 真二郎(北大)

14:30 〜 14:45

[19p-W834-5] GaPナノワイヤ結晶構造のドーピングによる変化

舘野 功太1,2、章 国強1,2、熊倉 一英2 (1.NTT-NPC、2.NTT物性研)

キーワード:ナノワイヤ、GaP、wurtzite

ナノワイヤの結晶構造は不純物ドーピングによって変化することが知られている。例えば、InPナノワイヤ成長においてはSドーピングによりWurtzite構造となりやすく、また、Znドーピングではツインの繰り返し構造が現れること等が報告されている。我々はTBClによるエッチング効果を用いることで、動径方向の成長を抑えたWurtzite構造のGaPナノワイヤを成長することに成功している。今回、Wurtzite構造のGaPナノワイヤ成長時にZnおよびSのドーピングを行い、ドーピングによる結晶構造の変化をSEMおよびTEM観察により調べた。