[19p-W834-1~17] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

[19p-W834-5] GaPナノワイヤ結晶構造のドーピングによる変化

〇舘野 功太^1,2、章 国強^1,2、熊倉 一英² (1.NTT-NPC、2.NTT物性研)

キーワード：ナノワイヤ、GaP、wurtzite

ナノワイヤの結晶構造は不純物ドーピングによって変化することが知られている。例えば、InPナノワイヤ成長においてはSドーピングによりWurtzite構造となりやすく、また、Znドーピングではツインの繰り返し構造が現れること等が報告されている。我々はTBClによるエッチング効果を用いることで、動径方向の成長を抑えたWurtzite構造のGaPナノワイヤを成長することに成功している。今回、Wurtzite構造のGaPナノワイヤ成長時にZnおよびSのドーピングを行い、ドーピングによる結晶構造の変化をSEMおよびTEM観察により調べた。