[20a-H101-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20a-H101-1] Cr溶媒を用いたSiC溶液成長におけるSiC過飽和度と成長速度の関係

〇宮坂 遼¹、鳴海 大翔¹、川西 咲子^2,3、佐々木 秀顕²、吉川 健²、前田 正史² (1.東大工、2.東大生研、3.東北大多元研)

キーワード：SiC、溶液成長、過飽和

高品質4H-SiC単結晶の成長法として注目されている溶液成長法において、炭素溶解度の高いCr系溶媒を用いることで高速成長の実現と界面の安定化の両立を図った。温度差を制御することで界面の炭素濃度差を制御し、炭素の過飽和量が成長速度を律速することを明らかにし、また溶解度に対する過飽和量の割合が小さいと界面の安定性が向上する傾向を見出した。