[20a-H101-1~10] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[20a-H101-10] Formation of Luminescent Center in SiC by Proton Microbeam Irradiation

〇Tomoya Honda^1,2, Hannes Kraus^2,3, Wataru Kada⁴, Shinobu Onoda², Moriyoshi Haruyama^2,4, Takahiro Sato², Masashi Koka², Tomihiro Kamiya², Syunsuke Kawabata^2,4, Kenta Miura⁴, Osamu Hanaizumi⁴, Yasuto Hijikata¹, Takeshi Ohshima² (1.Saitama Univ., 2.JAEA, 3.Uni. Wurzburg, 4.Gunma Univ.)

Keywords:silicon carbide,color center

SiC中の発光欠陥としてシリコン-空孔センターが知られている。本研究では、発光中心の生成位置や濃度から、イオンビームの照射位置や照射量をSiC結晶中のシリコン-空孔センターを指標として見積もる検出器として応用することができるかを検証した。共焦点蛍光顕微鏡を用いて、MeV級のプロトンマイクロビームを照射したSiC結晶のPLマッピングとPLスペクトルを測定することにより、発光中心の分布に関する知見を得た。