[20a-H101-1~10] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [20a-H101-9] Two Wavelength Excited Photoluminescence in 4H-SiC Substrate-Dependence on BGE Power Density-

〇Keitaro Kondo¹, Takeshi Fukuda¹, Zentaro Honda¹, Norihiko Kamata¹, Shuhei Yagi¹, Hiroyuki Yaguchi¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:bulk crystal,6Group IV Compound Semiconductors (SiC)

二波長励起PL法は、結晶内に潜む欠陥や不純物由来の非発光再結合準位を非接触で検出する方法である。今回用いたP型SiC基板のPLスペクトルは、ドナー・アクセプタ対発光が支配的であった。さらに二波長励起PL法で測定したところ、BGE照射により発光は消失し、B-lineの発光はC-lineよりもBGE強度による変化が大きいことが分かった。これらの結果は、それぞれのドナー準位と非発光再結合準位との繋がりの相違を示していると考えられる。