[20a-H103-1~11] 6.2 カーボン系薄膜

[20a-H103-4] {111}リンドープダイヤモンド薄膜成長のオフ角依存性Ⅱ

〇小泉 聡¹、山本 卓¹、大谷 亮太¹、Janssens Stoffel¹ (1.物材機構)

キーワード：n型半導体ダイヤモンド、CVD

比較的低角度領域のオフ角を持つダイヤモンド基板表面で高濃度リンドープダイヤモンド薄膜の成長実験を行った。その結果、単結晶ダイヤモンド{111}表面に対して＜112＞方向に1度以下程度の小さなオフ角形成した基板を用いる事で、高いリンドーピング効率と高品質な結晶成長が得られることが示唆された。この結果はダイヤモンドデバイスの低損失化に有効に利用可能と考えられる。