[20a-H103-1~11] 6.2 カーボン系薄膜

[20a-H103-7] 酸素添加条件で成長したホモエピタキシャルダイヤモンド(100)薄膜中の欠陥評価

〇寺地 徳之¹、渡邊 賢司¹ (1.物材機構)

キーワード：薄膜、ダイヤモンド、欠陥

ダイヤモンドの結晶性向上を目的として、筆者らは成長中に酸素を高濃度に添加した合成条件によるダイヤモンド薄膜成長を行ってきた。この成長条件では、基板表面の研磨傷が効果的に除去され、また結晶表面への異常成長粒子の形成も抑制されることを見出している。一方で、この成長条件下で成長を行っても、薄膜中には欠陥が残存していることが分かってきた。本講演では、薄膜中に残存している欠陥を調べた結果について報告する。