The 63rd JSAP Spring Meeting, 2016

Presentation information

Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.3 Oxide electronics

[20a-H111-1~10] 6.3 Oxide electronics

Sun. Mar 20, 2016 9:15 AM - 11:45 AM H111 (H)

Enju Sakai(Univ. of Tokyo)

9:15 AM - 9:30 AM

[20a-H111-1] Fabrication of AlOx thin films by drop photochemical deposition

Shunta Sato1, Masaya Ichimura1 (1.NIT)

Keywords:Aluminium Oxide,Photochemical deposition,Thin film

酸化アルミニウム(Al2O3)は大きなバンドギャップ、高い絶縁破壊電界を持つ化学的、熱的に安定な物質であり保護膜などに応用されている。我々は過去に同様の堆積溶液を用いて、安価な薄膜作製法である光化学堆積(PCD)法によってAlOx薄膜の作製を行った。しかし、作製された薄膜は膜厚0.02 μm程度と薄くなっていた。そこで、本研究では基板に溶液を少量滴下し光照射するドロップ光化学堆積(d-PCD)法によりAlOx薄膜の作製の改善を図った。