[20a-H111-1~10] 6.3 Oxide electronics

[20a-H111-3] Growth of zinc oxide whiskers by CVD under atmospheric pressure

〇Naoki Kakuda¹, Keiji Komatsu², Tsuyoshi Kikuta², Hidetoshi Saitoh² (1.NIT, Yonago Coll., 2.Nagaoka Univ. Tech.)

Keywords:zinc oxide,whisker

ワイドギャップ酸化物半導体である酸化亜鉛(ZnO)を⼤気開放型CVD法を⽤いてSi、サファイア基板上などに成膜し、ウィスカーの形成を確認した。カソードルミネッセンス測定により、ウィスカーから紫外から可視光領域に渡る発光を確認した。