[20a-H112-1~10] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[20a-H112-3] 低温固相成長法によるa-GeSn/絶縁膜構造の高移動度化
-GeSnの膜厚効果-

〇甲斐 友樹¹、松村 亮^1,2、佐道 泰造¹、宮尾 正信¹ (1.九大院システム情報、2.学振特別研究員)

キーワード：半導体