[20a-H112-1~10] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [20a-H112-5] 繰り返しレーザーアニール法による非晶質GeSn/絶縁膜の非熱平衡成長
ー 過飽和Sn濃度の冷却速度依存性 ー

〇茂藤 健太¹、松村 亮^1,2、佐道 泰造¹、池上 浩¹、宮尾 正信¹ (1.九大院システム情報、2.学振特別研究員)

キーワード：GeSn、レーザーアニール