[20a-H112-1~10] 15.5 Group IV crystals and alloys

△ [20a-H112-7] Low-temperature solid-phase epitaxial formation of Ge quantum dots on Si(100) using C mediation

〇(D)Yuhki Itoh¹, Kaito Takeshima², Tomoyuki Kawashima^1,2, Katsuyoshi Washio^1,2 (1.Grad. Sch. Eng., Tohoku Univ., 2.Tohoku Univ.)

Keywords:Germanium,Silicon,quantum dots

C媒介によるSi(100)基板上の自己組織的Ge量子ドット(QD)形成において、低温で堆積したGe/C/Si構造を650°Cの熱処理により固相成長する手法を検討してきた。固相成長中に生成されるC-Si結合とC-Ge結合が微小化・高密度化に寄与し、粒径が約10 nmのGe QDを形成した。本研究では、プロセス温度の低温化に向けて、熱処理温度(T_A)がQD形成に与える効果について検討した