[20a-H112-1~10] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [20a-H112-7] Si(100)基板上C媒介Ge量子ドットの低温固相成長

〇(D)伊藤 友樹¹、武島 開斗²、川島 知之^1,2、鷲尾 勝由^1,2 (1.東北大学院工、2.東北大工)

キーワード：ゲルマニウム、シリコン、量子ドット

C媒介によるSi(100)基板上の自己組織的Ge量子ドット(QD)形成において、低温で堆積したGe/C/Si構造を650°Cの熱処理により固相成長する手法を検討してきた。固相成長中に生成されるC-Si結合とC-Ge結合が微小化・高密度化に寄与し、粒径が約10 nmのGe QDを形成した。本研究では、プロセス温度の低温化に向けて、熱処理温度(T_A)がQD形成に与える効果について検討した