[20a-H112-1~10] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [20a-H112-8] C-Si反応を利用したGe量子ドット形成におけるC堆積量の最適化

〇安田 康佑¹、佐藤 佑紀²、伊藤 友樹²、川島 知之²、鷲尾 勝由² (1.東北大工、2.東北大院工)

キーワード：量子ドット、ゲルマニウム、カーボン