[20a-H135-1~12] 3.9 テラヘルツ全般

△ [20a-H135-10] p 型Ga_0.5In_0.5P における複数種LO 準位と電子遷移系の量子干渉効果

〇(D)坂本 裕則¹、馬 蓓¹、森田 健¹、石谷 善博¹ (1.千葉大工)

キーワード：量子干渉効果、ラマン分光法、テラヘルツ

近年、金属/半導体のストライプ構造を用いてLOフォノン共鳴の光吸収が観測された。このため、フォノン系電磁誘起透明化はテラヘルツ領域の光変調器、反転分布不要なレーザへの応用が期待される。本研究ではその基礎原理である複数種LOフォノンと電子遷移系の量子干渉効果について調査している。その結果、混晶系において連続準位を介したLOモード間の結合が示された。この結果はテラヘルツ領域光吸収制御の基礎となると考えられる。