2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.9 テラヘルツ全般

[20a-H135-1~12] 3.9 テラヘルツ全般

2016年3月20日(日) 09:00 〜 12:15 H135 (本館)

山下 将嗣(理研)、鈴木 左文(東工大)

09:45 〜 10:00

[20a-H135-4] TDTR法を用いたテラヘルツ検出用GaAs MEMS両持ち梁構造の評価

細野 優1、張 亜1、メーア ジェレミー1、長井 奈緒美1、肥後 昭男2、中野 義昭3、野村 政宏1,4、平川 一彦1,4 (1.東大生研、2.東北大WPI-AIMR、3.東大院工、4.東大ナノ量子機構)

キーワード:テラヘルツ検出、MEMS

我々は両持ち梁構造を有するMEMSを用いた室温動作テラヘルツ(THz)ボロメータを提案している。MEMS両持ち梁構造の高いQ値を利用して、両持ち梁にTHz電磁波が入射した際の温度上昇を、梁の共振周波数の変化として高感度に読み取るものである。本発表では、サーモリフレクタンス法(TDTR法)により、梁構造の基本的なパラメータである共振周波数、Q値、梁振動数の過渡変化について評価した結果について報告する。