[20a-P2-1~9] 6.5 表面物理・真空

[20a-P2-2] シリコン表面における正電荷による水素脱離促進効果

〇豊島 安健¹ (1.産総研省エネ)

キーワード：表面反応、水素脱離、シリコン成長

PECVDにおけるアモルファスシリコン膜の高温域での成長速度増大に関する二種類の活性化エネルギーの起源が、プラズマポテンシャルの違いなどによる成長表面への正電荷（H⁺）の飛来量の大小に由来することを示し、この検証のため分子軌道計算を用いて、分子状水素脱離反応に伴うエネルギー損失が正電荷の存在により減少することを確かめた。