[20a-P2-1~9] 6.5 Surface Physics, Vacuum

[20a-P2-7] Analysis of Si(110) clean surfaces after desorption of hydrogen terminated layer and oxidized layer

〇(M1)Shota Suzuki^1,2, Hidehito Asaoka², Yuki Uozumi², Keietsu Kondo², Kenji Yamaguchi^1,2 (1.Ibaraki Univ., 2.JAEA)

Keywords:Si(110),clean surface,morphology

水素終端処理、酸化処理を施したSi(110)基板表面の加熱による保護層脱離後、表面構造と元素の分析を実施した。講演では、加熱後表面のLEED・AES・STMによる構造解析結果を紹介する。