[20a-P2-1~9] 6.5 表面物理・真空

[20a-P2-7] 水素終端層・酸化層脱離後のSi(110)清浄表面解析

〇(M1)鈴木 翔太^1,2、朝岡 秀人²、魚住 雄輝²、近藤 啓悦²、山口 憲司^1,2 (1.茨城大院理工、2.原子力機構)

キーワード：Si(110)、清浄表面、モルフォロジー

水素終端処理、酸化処理を施したSi(110)基板表面の加熱による保護層脱離後、表面構造と元素の分析を実施した。講演では、加熱後表面のLEED・AES・STMによる構造解析結果を紹介する。